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介質損耗因素tg、相對電容率ε測試系統(tǒng)

點擊次數:1721  更新時間:2015-11-16

介質損耗因素tg、相對電容率ε測試系統(tǒng)一、技術要求

1.概述

工頻電容率和介質損耗因數測試系統(tǒng)滿足標準GB/T 1409-2006 測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內)下電容率和介質損耗因數的推薦方法。適用于測定熱塑性、熱固性塑料在50Hz、100Hz條件下的電容率和介質損耗因數。

測試系統(tǒng)由西林電橋、標準電容器、固體絕緣材料測試電極、高壓電源等構成。

2、主要技術指標:

2.1、 西林電橋

(1)適用范圍:主要用于測量高壓工業(yè)絕緣材料的介質損失角的正切值及電容量。其采用了西林電橋的經典線路。主要可以測量電容器,互感器,變壓器,各種電工油及各種固體絕緣材料在工頻高壓下的介質損耗( tgd)和電容量( Cx)以,其測量線路采用“正接法"即測量對地絕緣的試品。電橋由橋體、指另儀、電位跟蹤器組成,本電橋特別適應測量各類絕緣油和絕緣材料的介損(tgd)及介電常數(ε)。

(2)技術指標

a、測量范圍及誤差本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃,相對濕度為30%-80%條件下,應滿足下列表中的技術指示要求。 

在Cn=100pF    R4=3183.2(W)(即10K/π)時:

測量項目

測量范圍

測量誤差

電容量Cx

40pF--20000pF

±0.5%  Cx±2pF

介損損耗tgδ

0-1

±1.5%  tgδx±0.0001




在Cn=100pF      R4=318.3(W)(即1K/π)時:

測量項目

測量范圍

測量誤差

電容量Cx

4pF—2000pF

±0.5%  Cx±3pF

介損損耗tgδ

0-0.1

±1.5%  tgδx±0.0001

b、電容量及介損顯示精度:

電容量: ±0.5%;  

介  損: ±1.5%tgdx±1×10-4;

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