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介電常數(shù)測(cè)試儀 測(cè)量范圍及誤差

點(diǎn)擊次數(shù):3922  更新時(shí)間:2016-01-21

介電常數(shù)測(cè)試儀

測(cè)量范圍及誤差

    本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃,相對(duì)濕度為30%-80%條件下,應(yīng)滿足

下列表中的技術(shù)指示要求。

    在Cn=100pF    R4=3183.2(W)(即10K/π)時(shí) 

    測(cè)量項(xiàng)目       測(cè)量范圍             測(cè)量誤差               

    電容量Cx       40pF--20000pF      ±0.5%  Cx±2pF     

    介質(zhì)損耗tgd      0~1              ±1.5%tgdx±0.0001

    在Cn=100pF      R4=318.3(W)(即1K/π)時(shí)

    測(cè)量項(xiàng)目       測(cè)量范圍             測(cè)量誤差               

    電容量Cx       4pF--2000pF      ±0.5%  Cx±3pF     

    介質(zhì)損耗tgd      0~0.1          ±1.5%tgdx±0.0001

2.2  電橋測(cè)量靈敏度

    電橋在使用過程中,靈敏度直接影響電橋平衡的分辨程度,為保證測(cè)量準(zhǔn)確度,

希望電橋靈敏度達(dá)到一定的水平。通常情況下電橋靈敏度與測(cè)量電壓,標(biāo)準(zhǔn)電容量

成正比。

    在下面的計(jì)算公式中,用戶可根據(jù)實(shí)際使用情況估算出電橋靈敏度水平,在這

個(gè)水平上的電容與介質(zhì)損耗因數(shù)的微小變化都能夠反應(yīng)出來。

          DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)   

         式中:U為測(cè)量電壓                     伏特(V)

ω為角頻率 2pf=314(50Hz)                            

          Cn標(biāo)準(zhǔn)電容器容量                    皮法(pF)

          Ig通用指另儀的電流5X10-10            安培(A)

          Rg平衡指另儀內(nèi)阻約1500              歐姆(W)

          R4橋臂R4電阻值3183                 歐姆(W)

          Cx被測(cè)試品電容值                    皮法(pF)

2.3 電容量及介損顯示精度:

    電容量: ±0.5%×tgδx±0.0001。

      損: ±0.5%tgdx±1×10-4

2.4 輔橋的技術(shù)特性:

    工作電壓±12V,50Hz

    輸入阻抗>1012 W

    輸出阻抗>0.6 W

    放大倍數(shù)>0.99

    不失真跟蹤電壓  0~12V(有效值)

2.5 指另裝置的技術(shù)特性:

    工作電壓±12V

    在50Hz時(shí)電壓靈敏度不低于1X10-6V/格, 電流靈敏度不低于2X10-9A/格

  二次諧波  減不小于25db

  三次諧波  減不小于50db

介電常數(shù)測(cè)試儀

概述

介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì),通過測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制,測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定,諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索,Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換,數(shù)值顯示等新技術(shù),改進(jìn)了調(diào)諧回路,使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至zui低,并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù),使得新儀器在使用時(shí)更為方便,測(cè)量值更為。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下,測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。

 

介電常數(shù)測(cè)試儀

技術(shù)特性 

 Q 值測(cè)量范圍 

 2 ~ 1023 , 量程分檔: 30 、 100 、 300 、 1000 ,自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔

 固有誤差 

 ≤ 5 % ± 滿度值的 2 %( 200kHz ~ 10MHz )

 ≤6% ± 滿度值的2%(10MHz~160MHz)

 工作誤差 

 ≤7% ± 滿度值的2% ( 200kHz ~ 10MHz )

 ≤8% ± 滿度值的2%(10MHz~160MHz)

 電感測(cè)量范圍 

 4.5nH ~ 140mH

 電容直接測(cè)量范圍 

 1 ~ 200pF

 主電容調(diào)節(jié)范圍 

 18 ~ 220pF

 主電容調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度 

 120pF 以下 ± 1.2pF ; 120pF 以上 ± 1 %

 信號(hào)源頻率覆蓋范圍 

 100kHz ~ 160MHz

 頻率分段 ( 虛擬 ) 

 100 ~ 999.999kHz , 1 ~ 9.99999MHz,10 ~ 99.9999MHz , 100 ~ 160MHz

 頻率指示誤差 

 3 × 10 -5 ± 1 個(gè)字

介電常數(shù)測(cè)試儀

技術(shù)指標(biāo) 

 1.雙掃描技術(shù) - 測(cè)試頻率和調(diào)諧電容的雙掃描、自動(dòng)調(diào)諧搜索功能。

 2.雙測(cè)試要素輸入 - 測(cè)試頻率及調(diào)諧電容值皆可通過數(shù)字按鍵輸入。

 3.雙數(shù)碼化調(diào)諧 - 數(shù)碼化頻率調(diào)諧,數(shù)碼化電容調(diào)諧。

 4.自動(dòng)化測(cè)量技術(shù) -對(duì)測(cè)試件實(shí)施 Q 值、諧振點(diǎn)頻率和電容的自動(dòng)測(cè)量。

 5.全參數(shù)液晶顯示 – 數(shù)字顯示主調(diào)電容、電感、 Q 值、信號(hào)源頻率、諧振指針。

 

介電常數(shù)測(cè)試儀

BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置與本公司生產(chǎn)的各款高頻Q表配套,可用于測(cè)量絕緣材料的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗系數(shù)(損耗角正切值)。

BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置是BD916914的換代產(chǎn)品,它采用了數(shù)顯微測(cè)量裝置,因而讀數(shù)方便,數(shù)據(jù)。

測(cè)試裝置由一個(gè)LCD數(shù)字顯示微測(cè)量裝置和一對(duì)間距可調(diào)的平板電容器極片組成。

平板電容器極片用于夾持被測(cè)材料樣品,微測(cè)量裝置則顯示被測(cè)材料樣品的厚度。

BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置須配用Q表作為調(diào)諧指示儀器,通過被測(cè)材料樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品時(shí)的Q值變化,測(cè)得絕緣材料的損耗角正切值。

從平板電容器平板間距的讀值變化則可換算得到絕緣材料介電常數(shù)。

 BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置技術(shù)特性

 

介電常數(shù)測(cè)試儀

產(chǎn)品質(zhì)量承諾:
1、我公司保證向需方提供的設(shè)備是原廠生產(chǎn)的,并且出廠資料配件齊全。為保持合同設(shè)備的正常運(yùn)行和維護(hù),我公司保證提供的技術(shù)資料和圖紙是完整、清楚和正確的。
2、產(chǎn)品的制造和檢測(cè)均有質(zhì)量記錄和檢測(cè)資料。
3、對(duì)產(chǎn)品性能的檢測(cè),我們誠請(qǐng)用戶親臨對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行全過程、全性能檢查,待產(chǎn)品被確認(rèn)合格后再裝箱發(fā)貨。

 

聯(lián)系人:陳丹
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