四探針電阻率測(cè)試儀(單電)
型 號(hào)BEST-300C
更新時(shí)間2024-11-25
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
報(bào)價(jià)20000
產(chǎn)品概述
四探針電阻率測(cè)試儀(單電)半導(dǎo)體材料測(cè)試儀器主要用于測(cè)量半導(dǎo)體的電阻、方阻和電阻率等參數(shù),如硅片、化合物半導(dǎo)體等。陶瓷材料測(cè)試儀器則用于測(cè)量陶瓷材料的電阻、方阻和電阻率等參數(shù),如氧化鋁、氮化硅等。金屬材料測(cè)試儀器則用于測(cè)量金屬材料的電阻、方阻和電阻率等參數(shù),如銅、鋁等。四探針電阻率測(cè)試儀(單電)四探針測(cè)試儀測(cè)量半導(dǎo)體的電阻、方阻和電阻率等參數(shù),以確保半導(dǎo)體的質(zhì)量和性能符合要求。在陶瓷制造行業(yè)中,可以使用陶瓷材料測(cè)試儀器測(cè)量陶瓷材料的電阻、方阻和電阻率等參數(shù),以優(yōu)化陶瓷材料的配方和生產(chǎn)工藝。
技術(shù)參數(shù):
1.電阻率:10-5~2×106Ω-cm
2.電 阻:10-5~2×106Ω
3.電導(dǎo)率:5×10-6~105ms/cm
4.分辨率: 小0.1μΩ測(cè)量誤差±(0.05%讀數(shù)±5字)
5.測(cè)量電壓量程: 2mV 20mV 200mV 2V 測(cè)量精度±(0.1%讀數(shù))
6.分辨率: 0.1uV 1uV 10uV 100uV
7.電流輸出:直流電流 0~1000mA 連續(xù)可調(diào),由交流電源供電。
量程:1μA,10μA,100µA,1mA,10mA,1000mA, 誤差:±0.2%讀數(shù)±2字
8.顯示方式:液晶顯示電阻值、電阻率、電導(dǎo)率值、溫度、壓強(qiáng)值、單位自動(dòng)換算
9.傳感器壓力:200kg (其他規(guī)格可以定制)
10.粉末測(cè)量裝置 模具:內(nèi)徑10mm;高:25mm;
加壓方式:手動(dòng)液壓加壓/自動(dòng)加壓方式(選購(gòu))
11.電源:220±10% 50HZ/60HZ
12.主機(jī)外形尺寸:330mm*350mm*120mm
13.凈重量:約6kg
導(dǎo)電電阻率測(cè)試儀功能介紹:本儀器采用四端測(cè)量法適用于碳素粉末廠、焦化廠、石化廠、粉末冶金廠、高等院校、科研部門,是檢驗(yàn)和分析粉末樣品質(zhì)量的一種重要的工具。本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示,同時(shí)顯示電阻值、電阻率、電導(dǎo)率值、溫度、壓強(qiáng)值、單位自動(dòng)換算,配置不同的測(cè)試治具可以滿足不同材料的測(cè)試要求。測(cè)試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測(cè)試項(xiàng)目要求選購(gòu).使用薄膜按鍵開關(guān)面板,操作簡(jiǎn)單,耐用,符合人體工學(xué)操作規(guī)范. 提供中文或英文兩種語(yǔ)言操作界面
8.1.1對(duì)十組測(cè)量數(shù)據(jù)中的每一組,用式(2)計(jì)算探針間距S, ,S2,,Sy
S = [(C, + D,)/2]-[(A, +B,)/2]
S,=[(E, + Fj)/2]-[(C, +D,)/2]
.....-(2)
S,,=[(G, +H,)/2]-[(E; +F;)/2]
式中:
S,~S,,--探針間距,單位為厘米(cm);
A~H一一探針壓痕的點(diǎn)位,見圖6所示,單位為厘米(cm);
腳標(biāo)j一組數(shù),取1到10。
8.1.2用式(2)得到的S,計(jì)算每一間距平均值S,如式(3):
-(0)s
………--………(3)
式中:i取 1,2,3.
8.1.3將按式(3)計(jì)算得到的S,和按式(2)計(jì)算得到的S。,利用式(4)分別計(jì)算3個(gè)間距的試樣標(biāo)準(zhǔn)
偏差a
?/÷[∑
....…...……(4)
8.1.4計(jì)算平均探針間距S,如式(5):
s=/(++)
...……………(5)
8.1.5計(jì)算探針系數(shù)C和適用于圓片測(cè)量時(shí)的探針間距修正因子F„,分別如式(6)和式(7):
C-
2x
…………----*(6)
京+¯+s¯s+S
1
F,=1+1.082[1-(/)
.......-.-*****……(7)
8.2利用7.1.3~7.1.4測(cè)量的數(shù)據(jù)計(jì)算模擬電路測(cè)量的平均電阻r和標(biāo)準(zhǔn)偏差o。
8.2.1如果采用直接測(cè)量電阻,用單個(gè)正向和反向電阻(無論是計(jì)算結(jié)果或是測(cè)量結(jié)果)均按式(8)計(jì)
算平均電阻,否則按8.2.2計(jì)算模擬電路的正向電阻r,及反向電阻r,:
…………---…(8)
式中:
r-10個(gè)模擬電路的正向電阻r,及反向電阻r,中的任意一個(gè)值.
8.2.2根據(jù)測(cè)量值計(jì)算模擬電路的正向電阻r,及反向電阻r,如式(9):
--中厚度修正系數(shù)F(W/S)表格范圍增加;
一按中文格式分直排四探針法、直流兩探針法進(jìn)行編排。
本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流兩探針法》和GB/T 1552-1995《硅、鍺
單品電阻率測(cè)定直排四探針法》。
本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T 1551-1995和GB/T 1552-1995相比,主要有如下變化:
一一刪除了鍺單晶測(cè)定的相關(guān)內(nèi)容;1范圍
本方法規(guī)定了用直排四探針法測(cè)量硅單晶電阻率的方法.
本方法適用于測(cè)量試樣厚度和從試樣邊緣與任一探針端點(diǎn)的最近距離二者均大于探針間距的4倍
的硅單晶體電阻率以及測(cè)量直徑大于探針間距10倍、厚度小于探針間距4倍的硅單晶圓片的電阻率。
本方法可測(cè)定的硅單晶電阻率范圍為1X10-Ω?cm~3X10' Ω.cm.
2環(huán)境要求
環(huán)境溫度為23℃±1℃,相對(duì)濕度不大于65%。
3干擾因素
3.1光照可能嚴(yán)重影響觀察電阻率,特別是近似本征材料。因此,所有測(cè)試應(yīng)在暗室進(jìn)行,除非是待測(cè)
樣品對(duì)周圍的光不敏感。
3.2當(dāng)儀器放置在高頻于擾源附近時(shí),測(cè)試回路中會(huì)引入虛假電流,因此儀器要有電磁屏蔽。
3.3試樣中電場(chǎng)強(qiáng)度不能過大,以避免少數(shù)載流子注入。如果使用的電流適當(dāng),則用該電流的兩倍或
一半時(shí),引起電阻率的變化應(yīng)小于0.5%。
3.4由于電阻率受溫度影響,一般測(cè)試適用溫度為23℃±1 ℃.
3.5對(duì)于厚度對(duì)測(cè)試的影響,仲裁測(cè)量要求厚度按本方法的6.3規(guī)定測(cè)量,一般測(cè)量用戶可以根據(jù)實(shí)
際需要確定厚度的要求偏差。
3.6由于探針壓力對(duì)測(cè)量結(jié)果有影響,測(cè)量時(shí)應(yīng)選擇合適的探針壓力。
3.7仲裁測(cè)量時(shí)選擇探針間距為1.59mm,非仲裁測(cè)量可選擇其他探針間距。
4方法提要直排四探針測(cè)量示意圖
5測(cè)量?jī)x器
5.1探針裝置由以下幾部分組成。
5.1.1探針用鎢,碳化鎢或高速鋼等金屬制成,針尖呈圓錐型,夾角為45°~150*初始標(biāo)稱半徑為
25 μm~50 μm。
5.1.2探針壓力,每根探針壓力為1.75 N士0.25 N或4.0N±0.5N,分別用于硅單晶棒的電阻率測(cè)
量,也可選擇其他合適的探針壓力。
5.1.3絕緣性,一探針(包括連接彈簧和外部引線)與任何其他探針或裝置任一部分之間絕緣電阻大于
10’Ω.
5.1.4探針排列和間距,四根探針的應(yīng)成等間距直線排列。仲裁測(cè)量時(shí),探針間距(相鄰探針之間
的距離)標(biāo)稱值應(yīng)為1.59mm。其他標(biāo)稱間距如1.00mm和0.6mm用于非仲裁測(cè)量,探針間距按7.2
測(cè)定。
5.1.5探針架,能在針尖幾乎無橫向移動(dòng)的情況下使探針下降到試樣表面.
- 上一個(gè): BLD-6000v絕緣高壓漏電起痕試驗(yàn)儀
- 下一個(gè): BWD-C橡膠塑料低溫脆性試驗(yàn)機(jī)GB5470