介質(zhì)損耗測(cè)試儀/介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀
型 號(hào)GDAT-C
更新時(shí)間2024-11-19
廠(chǎng)商性質(zhì)生產(chǎn)廠(chǎng)家
報(bào)價(jià)
產(chǎn)品概述
介質(zhì)損耗測(cè)試儀/介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長(zhǎng)在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
一、介質(zhì)損耗測(cè)試儀/介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀概述
GDAT高頻 Q 表作為一代的通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試儀器，測(cè)試頻率上限達(dá)到目前高的160MHz。
GDAT高頻 Q 表采用了多項(xiàng)技術(shù)：
A雙掃描技術(shù) - 測(cè)試頻率和調(diào)諧電容的雙掃描、自動(dòng)調(diào)諧搜索功能。 B雙測(cè)試要素輸入 - 測(cè)試頻率及調(diào)諧電容值皆可通過(guò)數(shù)字按鍵輸入。 C雙數(shù)碼化調(diào)諧 - 數(shù)碼化頻率調(diào)諧，數(shù)碼化電容調(diào)諧。 D自動(dòng)化測(cè)量技術(shù) -對(duì)測(cè)試件實(shí)施 Q 值、諧振點(diǎn)頻率和電容的自動(dòng)測(cè)量。 E全參數(shù)液晶顯示 – 數(shù)字顯示主調(diào)電容、電感、 Q 值、信號(hào)源頻率、諧振指針。 FDDS 數(shù)字直接合成的信號(hào)源 -確保信源的高葆真，頻率的高精確、幅度的高穩(wěn)定。 G計(jì)算機(jī)自動(dòng)修正技術(shù)和測(cè)試回路*化 —使測(cè)試回路 殘余電感減至zui低， Q 讀數(shù)值在不同頻率時(shí)要加以修正的困惑。
gdat高頻Q表的創(chuàng)新設(shè)計(jì)，無(wú)疑為高頻元器件的阻抗測(cè)量提供了*的解決方案，它給從事高頻電子設(shè)計(jì)的工程師、科研人員、高校實(shí)驗(yàn)室和電子制造業(yè)提供了更為方便的檢測(cè)工具
，測(cè)量值更為精確，測(cè)量效率更高。使用者能在儀器給出的任何頻率、任意點(diǎn)調(diào)諧電容值下檢測(cè)器件的品質(zhì)，無(wú)須關(guān)注量程和換算單位。
一、概述
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì)，通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε），可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；
主要技術(shù)特性
| Q 值測(cè)量范圍 | 2 ～ 1023 |
| 量程分檔 | 30 、 100 、 300 、 1000 ，自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔 |
| 固有誤差 | ≤ 5 ％ ± 滿(mǎn)度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ） ≤6％ ± 滿(mǎn)度值的2％（10MHz～160MHz） |
| 工作誤差 | ≤7％ ± 滿(mǎn)度值的2％ （ 200kHz ～ 10MHz ） ≤8％ ± 滿(mǎn)度值的2％（10MHz～160MHz） |
| 電感測(cè)量范圍 | 4.5nH ～ 140mH |
| 電容直接測(cè)量范圍 | 1 ～ 200pF |
| 主電容調(diào)節(jié)范圍 | 18 ～ 220pF |
| 主電容調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度 | 100pF 以下 ± 1pF 100pF 以上 ± 1 ％ |
| 信號(hào)源頻率覆蓋范圍 | 100kHz ～ 160MHz |
| 頻率分段 （ 虛擬 ） | 100 ～ 999.999kHz ， 1 ～ 9.99999MHz,10 ～ 99.9999MHz ， 100 ～ 160MHz |
搭配了全新的介質(zhì)損耗裝置與GDAT系列q表搭配使用
電感：
線(xiàn)圈號(hào) 測(cè)試頻率 Q值 分布電容p 電感值
9 100KHz 98 9.4 25mH
8 400KHz 138 11.4 4.87mH
7 400KHz 202 16 0.99mH
6 1MHz 196 13 252μH
5 2MHz 198 8.7 49.8μH
4 4.5MHz 231 7 10μH
3 12MHz 193 6.9 2.49μH
2 12MHz 229 6.4 0.508μH
1 25MHz，50MHz 233，211 0.9 0.125μH
BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置技術(shù)特性
平板電容器： 極片尺寸：Φ50mm/Φ38mm 可選
極片間距可調(diào)范圍：≥15mm
2. 夾具插頭間距：25mm±0.01mm
3. 夾具損耗正切值≤4×10-4 （1MHz）
4．測(cè)微桿分辨率：0.001mm
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中國(guó)檢測(cè)行業(yè)與驗(yàn)證服務(wù)的*者和智領(lǐng)者，幫助眾多檢測(cè)質(zhì)檢單位和學(xué)校教研單位提供一站式的全面質(zhì)量解決方案。
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