介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀廠家銷售
產(chǎn)品概述
介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀由Q表、測(cè)試裝置,電感器及標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品組成,能對(duì)絕緣材料進(jìn)行高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)的測(cè)試。它符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀工作頻率范圍是10kHz~60MHz,它能完成工作頻率內(nèi)材料的高頻介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。
本儀器中測(cè)試裝置是由平板電容器和測(cè)微圓筒線性電容器組成,平板電容器一般用來夾被測(cè)樣品,配用Q表作為指示儀器。絕緣材料的損耗角正切值是通過被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過公式計(jì)算得到。同樣,由測(cè)微圓筒線性電容器的電容量讀數(shù)變化,通過公式計(jì)算得到介電常數(shù)。
1 特點(diǎn):
◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù),使測(cè)Q分辨率至0.1Q,使tanδ分辨率至0.00005 。
◎ 能對(duì)固體絕緣材料在10kHz~60MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。
◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH,保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。
◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù):Q值,測(cè)試頻率,調(diào)諧狀態(tài)等。
◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。
◎ DPLL合成發(fā)生10kHz~60MHz, 100kHz~160MHz 測(cè)試信號(hào)。獨(dú)立信號(hào) 源輸出口,所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源。
◎ 測(cè)試裝置符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
2 主要技術(shù)指標(biāo):
2.1 tanδ和ε性能:
2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz~60MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。
2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍:tanδ:0.1~0.00005,ε:1~50
2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度(1MHz): tanδ:±5%±0.00005,ε:±2%
2.2 Q表
1 | 型號(hào) | 10kHz-60MHz | 100kHz-160MHz |
2 | 工作頻率范圍 | 10kHz~60MHz 四位數(shù)顯,數(shù)字合成 精度:±50ppm | 100kHz~160MHz 四位數(shù)顯,數(shù)字合成 精度:±50ppm |
3 | Q值測(cè)量范圍 | 1~1000 四位數(shù)顯,±0.1Q分辨率 | 1~1000 四位數(shù)顯,±0.1Q分辨率 |
4 | 可調(diào)電容范圍 | 40~500 pF ΔC±3pF | 13~230 pF |
5 | 電容測(cè)量誤差 | ±1%±1pF | ±1%±0.5pF |
6 | Q表殘余電感值 | 約20nH | 約8nH |
2.3 介質(zhì)損耗裝置:
2.3.1 平板電容器極片尺寸:
916:Φ38mm和Φ50mm二種.
914:Φ38mm .
2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率: 0~8mm, ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性: 0.33 pF /mm±0.05 pF,
2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍: ±12.5mm(±4.2pF)
2.3.5 裝置插頭間距: 25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值: ≤2.5×10-4
2.4 電感器:
按測(cè)試頻率要求,需要配置不同量的電感器。例如:在1MHz測(cè)試頻率時(shí),要配250μH電感器,在50MHz測(cè)試頻率時(shí),要配0.1μH電感器等。
2.5 高頻介質(zhì)樣品(選購(gòu)件):
在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中,檢定部門為高頻介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x提供的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)是高頻標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品。該樣品由人工藍(lán)寶石,石英玻璃,氧化鋁陶瓷,聚四氟乙烯,環(huán)氧板等材料做成Φ50mm,厚1~2mm測(cè)試樣品。用戶可按需訂購(gòu),以保證測(cè)試裝置的重復(fù)性和準(zhǔn)確性
它符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,GB/T 1693-2007,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
c類數(shù)顯Q表工作頻率范圍是10kHz~60MHz,是一種多功能、多用途、多量程數(shù)字化阻抗測(cè)試儀器。它是根據(jù)串聯(lián)諧振原理,以電壓比值刻度Q值的。它能測(cè)量高頻電感器的Q值,電感量和分布電容量;電容器的電容量和損耗角。配以?shī)A具BH916介質(zhì)損耗裝置還能對(duì)固態(tài)絕緣材料的高頻介質(zhì)損耗(tanδ)和介電常數(shù)(ε),高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等進(jìn)行測(cè)試。本Q表依照國(guó)家計(jì)量檢定規(guī)程:“JJF1073-2000高頻Q表校準(zhǔn)規(guī)范”執(zhí)行。
1 特點(diǎn):
◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值讀取技術(shù),使測(cè)Q分辨率至0.1Q。
◎ DPLL合成發(fā)生10kHz~60MHz,測(cè)試信號(hào)。
◎ 低至20nH殘余電感,保證高頻時(shí)直讀Q值的誤差較小。
◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù):Q值,測(cè)試頻率,調(diào)諧狀態(tài)等。
◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。
◎ 數(shù)字化Q值預(yù)置,能提高批量測(cè)試的可靠性和速度。
介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀由Q表、測(cè)試裝置,電感器及標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品組成,能對(duì)絕緣材料進(jìn)行高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)的測(cè)試。它符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀工作頻率范圍是10kHz~60MHz,它能完成工作頻率內(nèi)材料的高頻介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。
本儀器中測(cè)試裝置是由平板電容器和測(cè)微圓筒線性電容器組成,平板電容器一般用來夾被測(cè)樣品,配用Q表作為指示儀器。絕緣材料的損耗角正切值是通過被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過公式計(jì)算得到。同樣,由測(cè)微圓筒線性電容器的電容量讀數(shù)變化,通過公式計(jì)算得到介電常數(shù)。
1 特點(diǎn):
◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù),使測(cè)Q分辨率至0.1Q,使tanδ分辨率至0.00005 。
◎ 能對(duì)固體絕緣材料在100kHz~160MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。
◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH,保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。
◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù):Q值,測(cè)試頻率,調(diào)諧狀態(tài)等。
◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。
◎ DPLL合成發(fā)生10kHz~60MHz, 100kHz~160MHz測(cè)試信號(hào)。獨(dú)立信號(hào) 源輸出口,所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源。
◎ 測(cè)試裝置符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
2 主要技術(shù)指標(biāo):
2.1 tanδ和ε性能:
2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz~60MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。
2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍:tanδ: 0.1~0.00005,ε:1~50
2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度(1MHz): tanδ:±5%±0.00005,ε:±2%
2 主要技術(shù)指標(biāo):
2.1 測(cè)試信號(hào)頻率范圍:10kHz~60MHz,數(shù)字合成,可數(shù)字設(shè)置或連續(xù)調(diào)節(jié),五位有效數(shù)顯。
2.2 Q值測(cè)量范圍:1~1000四位數(shù)顯,分辨率0.1Q。分100、316、999三檔,量程可自動(dòng)切換。
2.3 Q值固有誤差:±5%±3% 滿刻度值。
2.4 有效電感測(cè)量范圍:0.1µH~1000mH。
2.5 電感測(cè)量誤差:≤5%±0.02µH
2.6 調(diào)諧電容特性:
2.6.1可調(diào)電容范圍:40pF~500 pF。
2.6.2 精確度:±1% 或0.5pF。
2.6.3微調(diào)電容器:-3pF~0~+3pF,分辨率:0.2pF
2.6.4殘余電感值:約30nH。
2.7 Q預(yù)置功能:Q預(yù)置范圍:1~1000均可。
BH916 介質(zhì)損耗測(cè)試裝置(數(shù)顯)
BH916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置與C類Q表及電感器配用,能對(duì)絕緣材料進(jìn)行高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)的測(cè)試。它符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,GB/T 1693-2007,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
本測(cè)試裝置是由測(cè)微平板電容器組成,平板電容器一般用來夾被測(cè)樣品,配用Q表作為指示儀器。絕緣材料的損耗角正切值是通過被測(cè)樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)變化通過公式計(jì)算得到。同樣,由平板電容器的刻度讀數(shù)變化,通過公式計(jì)算得到介電常數(shù)。
1工作特性
1.1 平板電容器:
1.1.1 極片尺寸:
c類-38:Φ38mm.
c類-50:Φ50mm.
1.1.2 極片間距可調(diào)范圍和分辨率:
≥8mm, ±0.002mm
1.2 夾具插頭間距:
25mm±1mm
1.3夾具損耗角正切值
≤2.5×10-4
附表二,LKI-1電感組典型測(cè)試數(shù)據(jù)
線圈號(hào) 測(cè)試頻率 Q值 分布電容p 電感值
9 100KHz 98 9.4 25mH
8 400KHz 138 11.4 4.87mH
7 400KHz 202 16 0.99mH
6 1MHz 196 13 252μH
5 2MHz 198 8.7 49.8μH
4 4.5MHz 231 7 10μH
3 12MHz 193 6.9 2.49μH
2 12MHz 229 6.4 0.508μH
1 25MHz 50MHz 233211 0.9 0.125μH
標(biāo)簽:介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀 介電常數(shù)測(cè)試儀 介質(zhì)損耗測(cè)試儀 介質(zhì)損耗介電常數(shù)測(cè)試儀
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